近兩年來，碳化硅材料(Silicon Carbride, SIC)進(jìn)入應(yīng)用領(lǐng)域。SIC半導(dǎo)體具有寬禁帶，高擊穿電場，高飽和漂移速度和高熱導(dǎo)率的優(yōu)異特性正在推動(dòng)工業(yè)領(lǐng)域?qū)β试O(shè)備在功率密度方面的革命。使用SIC MOSFET替代IGBT可以提高功率管開關(guān)頻率，從而降低功率設(shè)備中感性元件以及容性原件的體積。使功率設(shè)備的體積減小到原來不可思議的地步。但是更高的頻率，更高的功率密度，要求周邊器件也能適應(yīng)更高的工作頻率，在更寬的溫度范圍以保證穩(wěn)定的工作狀態(tài)。ROHM在SIC發(fā)展最初階段提出了可應(yīng)用SIC產(chǎn)品使用的磁耦驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品，及時(shí)滿足了SIC MOSFET的驅(qū)動(dòng)和通訊的絕緣要求。
ROHM半導(dǎo)體(上海)有限公司設(shè)計(jì)中心經(jīng)理 顧偉俊
磁耦技術(shù)源自成熟的隔離變壓器驅(qū)動(dòng)技術(shù)，通過將微觀級的無磁芯線圈埋置于芯片封裝內(nèi)，提高了電路集成度，并保證了產(chǎn)品性能的穩(wěn)定。
芯片級磁耦的結(jié)構(gòu)：
磁耦的特性：
1. 磁耦沒有性能衰減
相對于現(xiàn)有光電耦合和電容耦合，磁耦沒有老化的風(fēng)險(xiǎn)。
2. 磁耦溫漂很小
相對于現(xiàn)有光電耦合和電容耦合，磁耦合產(chǎn)品更適合在大功率密度的產(chǎn)品中應(yīng)用。
ROHM公司推出的系列磁耦驅(qū)動(dòng)芯片從輸入信號到驅(qū)動(dòng)功率輸出，信號最大延時(shí)誤差約130nS。該性能基本滿足了客戶開發(fā)200KHz以內(nèi)的功率轉(zhuǎn)換設(shè)備。相對于現(xiàn)在普遍采用的IGBT 在20kHz的工作頻率，開發(fā)同功率產(chǎn)品的體積重量可以得到明顯的改善。
同時(shí)針對高頻驅(qū)動(dòng)，在電路上通過將功率電源與信號分開傳輸，滿足了高頻方案的要求。
如下圖：
圖1 傳統(tǒng)隔離變壓器電路和分立器件組成驅(qū)動(dòng)原理圖
圖2 磁耦隔離驅(qū)動(dòng)原理圖
從圖1和圖2對比可以發(fā)現(xiàn)，傳統(tǒng)的隔離變壓器技術(shù)同時(shí)傳遞控制邏輯信號和功率電源。似乎效率非常高。但是在SIC應(yīng)用場合，由于控制頻率可以從6kHz-200kHz(SICMOSFET可以對應(yīng)MHz的開關(guān)頻率)，在如此寬的頻率變化范圍，變壓器對功率傳遞的效率會(huì)有很大的變化，造成的結(jié)果是被動(dòng)傳輸?shù)臈l件下輸出驅(qū)動(dòng)電壓會(huì)有很大的波動(dòng)。這對現(xiàn)階段的SIC MOSFET的非常敏感的Gate驅(qū)動(dòng)電壓范圍是非常致命的。參考圖3.當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓下降時(shí)，SIC MOSFET的內(nèi)阻會(huì)急劇增加，可想而知，產(chǎn)品效率會(huì)受到很大的影響。
圖3 SIC MOSFET Module On-resistance Vs. Vgs
而磁耦驅(qū)動(dòng)通過獨(dú)立的信號傳輸及可控制的功率傳輸，避免了功率轉(zhuǎn)換設(shè)備在不同頻率下的效率波動(dòng)。適用于高頻率的能量轉(zhuǎn)換。
同時(shí)針對于新的SICMOSFET應(yīng)用，ROHM設(shè)計(jì)的磁耦輸出電壓范圍從原來的最大輸出電壓+20V提高到+30V耐壓。SIC MOSFET要求Gate驅(qū)動(dòng)電壓接近20V。而SI工藝的SI 或者IGBT驅(qū)動(dòng)電壓僅要求大于12V。
ROHM的磁耦產(chǎn)品系列：
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